徐洪起

教授

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徐洪起教授，瑞典Lund大学凝聚态物理学理学博士，国家“千人计划”特聘专家，国家重大基础 科学研究计("973")首席科学家，国家基金委重大研究计划项目负责人。

徐洪起教授于1982年毕业于大连工学院（今大连理工大学），获物理学理学学士学位，其后留校在大连工学院（今大连理工大学）物理系任助教。1985年受国家公派到瑞典Linkoping大学攻读博士学位，1986年转入瑞典Lund大学继续攻读博士学位，并于1991年获得Lund大学凝聚态物理学理学博士学位。徐洪起教授博士毕业后即获聘于1991-1993年在瑞典Linkoping大学做博士后研究员，后于1993 年获聘到Lund 大学工作至2014年，历任助理教授(1995-2001)、副教授(2001-2003)和教授(2003-2014)。徐洪起教授于2010年入选国家“千人计划”特聘专家，并获聘入职北京大学，现在信息科学技术学院电子学系任全职教授，担任其创建的“半导体纳米结构与量子器件”实验室负责人。从事的科学研究领域包括：半导体纳米结构物理与光电性质的实验与理论研究；纳电子学器件与自旋电子学器件的制作、物理与应用研究；新型纳米线LED和光伏器件的原理与制作技术研究；固态量子信息器件的制备、物理机制与应用研究；低维凝聚态多体物理，包括强关联、自旋纠缠等多体物理现象的实验与理论研究；固态系统中Majorana费米子的实验与理论研究等。

徐洪起教授2006 至 2009 年受聘担任瑞典国家研究基金委工程技术物理委员会的委员，2012至2014年受聘担任瑞典国家研究基金委半导体物理、电子学与光电子学委员会的委员。徐洪起教授还从2001年起受聘担任欧盟科技专家，参与欧盟研究项目的审批和获批项目执行情况的审查、验收。徐洪起教授也是多个国家和地区研究项目评审专家。徐洪起教授在中科院物理所、中科院半导体所、大连理工大学，日本RIKEN等多所院校（所）担任过客座教授，是2016年举行的第三十三届国际半导体物理大会主席，于 2004 年获中科院海外知名学者称号。

代表论文

1. Chuancheng Jia; Agostino Migliore; Na Xin; Shaoyun Huang; Jinying Wang; Qi Yang; Shuopei Wang; Hongliang Chen; Duoming Wang; Boyong Feng; Zhirong Liu; Guangyu Zhang; Dahui Qu; He Tian; Mark A. Ratner; H. Q. Xu; Abraham Nitzan; and Xuefeng Guo.(2016)Covalently bonded single molecule junctions with stable and reversible photoswitched conductivity.Science . DOI:110.1126/science.aaf6298.
2. Kan Li, Yingjie Xing, and H. Q. Xu.(2016)Generic technique to grow III-V semiconductor nanowires in a closed glass vessel.AIP Advances. DOI:1http://dx.doi.org/10.1063/1.4954080.
3. Gaohua Liao, Ning Luo, Ke-Qiu Chen, and H. Q. Xu.(2016)Electronic structures of free-standing nanowires made from indirect bandgap semiconductor gallium phosphide.Scientific Reports. DOI:1http://dx.doi.org/10.1038/srep28240.
4. Dingxun Fan, N. Kang, Sepideh G. Ghalamestani, Kimberly A. Dick and H. Q. Xu.(2016)Schottky barrier and contact resistance of InSb nanowire field effect transistors.Nanotechnology. DOI:1http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/27/27/275204.
5. S. Li, N. Kang, D. X. Fan, L. B. Wang, Y. Q. Huang, P. Caroff, and H. Q. Xu.(2016)Coherent charge transport in ballistic InSb nanowire Josephson junctions. Scientific Reports. DOI:1http://dx.doi.org/10.1038/srep24822.
6. Li Lin, Jiayu Li, Huaying Ren, Ai Leen Koh, Ning Kang, Hailin Peng, H. Q. Xu, and Zhongfan Liu.(2016)Surface Engineering of Copper Foils for Growing Centimeter-Sized Single-Crystalline Graphene.ACS Nano. DOI:1http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.6b00041.
7. D. Pan, D. X. Fan, N. Kang, J. H. Zhi, X. Z. Yu, H. Q. Xu, and J. H. Zhao.(2016)Free-Standing Two-Dimensional Single-Crystalline InSb Nanosheets,.Nano Letters. DOI:1http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b04845.
8. Yumei Jing, Shaoyun Huang, Kai Zhang, Jinxiong Wu, Yunfan Guo, Hailin Peng, Zhongfan Liu, and H. Q. Xu.(2016)Weak antilocalization and electron-electron interaction in coupled multiple-channel transport in a Bi2Se3 thin film.Nanoscale. DOI:1http://dx.doi.org/10.1039/C5NR07296D.
9. Bahram Ganjipour, Martin Leijnse, Lars Samuelson, H. Q. Xu.(2015)Transport studies of electron-hole and spin-orbit interaction in GaSb/InAsSb core-shell nanowire quantum dots.Physical Review B. DOI:1.
10. Gaohua Liao, Ning Luo, Zhihu Yang, Keqiu Chen and H. Q. Xu.(2015)Electronic structures of [001]- and [111]-oriented InSb and GaSb free-standing nanowires.Journal of Applied Physics. DOI:1http://dx.doi.org/10.1063/1.4929412.
11. Dingxun Fan, Sen LI, N. Kang, Philippe Caroff, L. B. Wang, Y. Q. Huang, M. T. Deng, C. L. Yu and H. Q. Xu.(2015)Formation of Long Single Quantum Dots in High Quality InSb Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy.Nanoscale. DOI:1http://dx.doi.org/10.1039/c5nr04273a.
12. Dong Zhang, Dong-Bo Zhang, Fuhua Yang, Hai-Qing Lin, H. Q. Xu and Kai Chang.(2015)Interface engineering of electronic properties of graphene/boron nitride lateral heterostructures.2D Mater.
13. M. T. Deng, C. L. Yu, G. Y. Huang, M. Larsson, P. Caroff, and H. Q. Xu.(2012)Anomalous Zero-Bias Conductance Peak in a Nb-InSb Nanowire-Nb Hybrid Device.Nano Letters. 112, 6414-6419 (2012).